日本专利法和设计法的优惠期相关规定的修改法案，已通过国会的审议，修改后的法律将于2018年6月9日生效。以往，首次揭露后提交申请的优惠期为6个月。根据修订后的法律，优惠期将延长至12个月。
所谓「优惠期」，系指提出专利申请案时，在申请日之前某特定期间内，对所请技术内容之公开，可被排除在本案申请案先前技术的范围。优惠期可使得因故在提出专利申请之前即已公开技术内容之人仍有取得专利权之可能，因而有利于技术的提早公开及流通，并藉由优惠期制度要件宽严度的控制，兼顾专利法制之目的。
修订后的条文，将适用于2017年12月9日或之后的公开揭露。例如，如果专利申请人于2017年12月9日揭露了其发明或设计的内容，则申请人可以利用揭露后的12个月优惠期内，于2018年12月9日或之前提交日本专利，实用新型或外观设计申请，而不会造成对本身新颖性的阻却。至于PCT申请，其国际申请日被认为是日本申请日，因此PCT申请，应在首次揭露后的12个月内提交，以适用日本新修订的优惠期。
然而，如果是2017年12月9日前揭露的技术内容的申请案，则是适用于旧的6个月的优惠期。也就是说，申请人从揭露日起至2018年6月8日之间，仍是只有6个月优惠期。